Aratas lance un relais SiC MOSFET 3 300 V

Aratas America LLC a lancé le G3VH, un relais haute tension disponible en modèles 1 800 V et 3 300 V pour les équipements qui doivent commuter des charges électriques exigeantes sans occuper beaucoup d’espace.

Le composant utilise des MOSFET SiC — des transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur en carbure de silicium — plutôt que des semi-conducteurs de puissance classiques à base de silicium. Aratas affirme que le SiC offre une rigidité diélectrique nettement supérieure, c’est-à-dire la capacité à résister à une défaillance électrique sous haute tension, tandis que le G3VH associe cette propriété à une faible résistance à l’état passant, un faible courant de fuite et une commutation rapide.

Le relais offre une tenue diélectrique de 5 000 Vrms entre son entrée et sa sortie. Il est proposé dans des boîtiers à bornes pour circuit imprimé et DIP 6 broches à montage en surface, offrant aux fabricants d’équipements deux options d’intégration compactes. Aratas affirme que cette conception peut réduire les pertes de puissance et la chaleur générée tout en favorisant des systèmes haute tension plus compacts.

Le relais est destiné aux équipements de test de semi-conducteurs, aux systèmes de gestion de batterie et aux instruments de mesure. Dans ces contextes, le G3VH doit permettre des mesures plus précises, une meilleure stabilité et un débit d’inspection plus élevé ; l’entreprise cite également parmi ses avantages une amélioration de la détection des défauts et de la précision des tests de conformité.

Qu’est-ce qui change en pratique ? Les fabricants d’équipements disposent d’un composant de commutation nouvellement lancé, donné pour atteindre 3 300 V, avec un format conçu pour les systèmes miniaturisés et des caractéristiques électriques visant à réduire les pertes. Les chiffres de performance publiés sont ceux d’Aratas, et l’annonce ne fournit aucun résultat de test indépendant, prix ou détail sur le déploiement chez des clients.