Micron duplicará su capacidad de producción de HBM a fin de año

Los pedidos de compra de Micron a fabricantes de equipos para HBM están aumentando, y los equipos se están trasladando a sus fábricas de Taiwán y Singapur. La estadounidense Micron planea ampliar a finales de este año su capacidad de producción de memoria de gran ancho de banda (HBM) hasta el doble de la del año anterior y añadir hasta 60.000 obleas mensuales. Electronic Times informó de que han aumentado los pedidos de compra de Micron a varios fabricantes de equipos para la producción de HBM.

Si se cumple el objetivo, la capacidad de producción de HBM de Micron alcanzará a fin de año aproximadamente 100.000 obleas mensuales. La producción del año pasado se situó en entre 40.000 y 50.000 obleas mensuales, y se prevé que el aumento neto de este año sea superior a esa cifra. La HBM es una memoria de gran ancho de banda utilizada en semiconductores para inteligencia artificial. Como la demanda de los fabricantes de semiconductores para inteligencia artificial, entre ellos NVIDIA, supera la oferta, la propia capacidad de producción se ha convertido en un elemento clave de la competencia.

Micron está ampliando rápidamente su capacidad para suministrar HBM4 de 12 capas. La mayor parte de la producción actual corresponde a HBM3E de 12 capas, pero se prevé que la proporción de HBM4 de 12 capas aumente del 20-30 % a comienzos de año hasta un máximo del 50 % a fin de año. La HBM4 de 12 capas se incorporará al último acelerador de inteligencia artificial de NVIDIA, Vera Rubin, y Micron anunció que comenzó la producción en masa de este producto en el segundo trimestre de este año.

El consejero delegado de Micron, Sanjay Mehrotra, afirmó en junio que la compañía estaba ampliando la producción en masa de HBM4 de 12 capas a una velocidad aproximadamente el doble de rápida que la de HBM3E de 12 capas, y que los ingresos acumulados por los envíos de HBM4 habían superado los 1.000 millones de dólares. Micron es uno de los tres principales fabricantes de HBM del mundo, pero el sector estima que la capacidad de producción de Samsung Electronics y SK hynix es entre 3 y 4 veces superior a la de Micron, y que alcanza aproximadamente entre 150.000 y 200.000 obleas en cada empresa.

Por tanto, el cambio concreto se produce en la capacidad de suministro de HBM que pueden elegir los fabricantes de semiconductores para inteligencia artificial. Si Micron alcanza a fin de año la capacidad prevista, la brecha de producción con Samsung Electronics y SK hynix podría reducirse a la mitad de la actual, lo que daría a Micron la oportunidad de aumentar su cuota en un mercado con escasez de suministro. No obstante, esta previsión se basa en explicaciones y estimaciones de fuentes del sector, y la inversión en Hiroshima, Japón, aún se encuentra en fase de preparación.